型号:

PHT4NQ10LT,135

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
PHT4NQ10LT,135 PDF
标准包装 1
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 250 毫欧 @ 1.75A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 374pF @ 25V
功率 - 最大 6.9W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装 SC-73
包装 剪切带 (CT)
其它名称 568-6758-1
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