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参数目录42058
> PHT4NQ10LT,135 MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
型号:
PHT4NQ10LT,135
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PHT4NQ10LT,135 PDF
标准包装
1
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫欧 @ 1.75A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
374pF @ 25V
功率 - 最大
6.9W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SC-73
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-6758-1
查看PHT4NQ10LT,135代理商
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